基体对硅钼薄膜结构及电学性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第3期
论文作者：张茂国 陈华 徐可为 信绍广
关键词：基体; 磁控溅射; MoSi2薄膜; 方阻;
摘 要：采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响.XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶.四探针电阻测试结果表明,随着退火温度的升高,硅基体和氧化铝基体上的硅钼薄膜其方阻逐渐降低,而石英玻璃基体上的硅钼薄膜其方阻却异常增大.
张茂国1，陈华1，徐可为1，信绍广1
(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049;
2.新兴铸管股份有限公司,河北,邯郸,056017)
摘要:采用射频磁控溅射法在硅基底上制备了硅钼薄膜,并研究了不同基体对薄膜相结构、表面形貌及电学性能的影响.XRD,AFM和SEM分析结果表明,硅和石英玻璃基体上沉积的硅钼薄膜为非晶,而氧化铝基体上沉积的硅钼薄膜为多晶.四探针电阻测试结果表明,随着退火温度的升高,硅基体和氧化铝基体上的硅钼薄膜其方阻逐渐降低,而石英玻璃基体上的硅钼薄膜其方阻却异常增大.
关键词:基体; 磁控溅射; MoSi2薄膜; 方阻;
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