多热源SiC合成炉温度场变化规律的模拟与计算
来源期刊：无机材料学报2005年第1期
论文作者：李成峰 郭继华 王晓刚
关键词：多热源; SiC; 温度;
摘 要：碳化硅合成炉具有平面非稳态有内热源的温度场特点,利用ANSYS软件对多热源炉进行温度场数值计算.以面为对象分析了单个热源对整体温度场的贡献,以点为对象研究了面的中心点温度随时间的变化规律,以线为对象研究了面的中心线的温度随距离的变化规律.研究发现温场的叠加和热源之间的屏蔽是多热源炉节能降耗增产的原因.
李成峰1，郭继华1，王晓刚1
(1.西安科技大学材料工程系,西安,710054)
摘要:碳化硅合成炉具有平面非稳态有内热源的温度场特点,利用ANSYS软件对多热源炉进行温度场数值计算.以面为对象分析了单个热源对整体温度场的贡献,以点为对象研究了面的中心点温度随时间的变化规律,以线为对象研究了面的中心线的温度随距离的变化规律.研究发现温场的叠加和热源之间的屏蔽是多热源炉节能降耗增产的原因.
关键词:多热源; SiC; 温度;
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