烧结温度对包混/复合添加工艺制备多孔SiC陶瓷性能的影响
来源期刊：材料导报2011年第2期
论文作者：杨阳 赵宏生 刘中国 张凯红 李自强
文章页码：40 - 42
关键词：碳化硅;多孔陶瓷;烧结温度;包混;复合添加;
摘 要：采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能。结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好。
杨阳，赵宏生，刘中国，张凯红，李自强
清华大学核能与新能源技术研究院
摘 要：采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能。结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好。
关键词：碳化硅;多孔陶瓷;烧结温度;包混;复合添加;
