纳米晶化对Co-FeNbZr薄膜结构及阻抗的影响
来源期刊：磁性材料及器件2009年第6期
论文作者：文歧业 蒋向东 唐晓莉 薛刚
关键词：Co-FeNbZr薄膜; 纳米晶化; 结构; 阻抗; Co-FeNbZr thin film; nanocrystallization; microstructure; impedance;
摘 要：用直流磁控溅射法制备非晶Co-FeNbZr软磁膜,再用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对其进行纳米晶化.研究了不同的纳米晶化工艺条件下薄膜的微观结构和阻抗性能.结果表明,500℃退火的Co-FeNbZr软磁薄膜晶粒细化到30～40nm,阻抗值从28Ω增加到110Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200～220 MHz左右,薄膜的软磁性能极大改善.
文歧业1，蒋向东1，唐晓莉1，薛刚1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054)
摘要:用直流磁控溅射法制备非晶Co-FeNbZr软磁膜,再用独特的快速循环纳米晶化技术(RRTA)对其进行纳米晶化.研究了不同的纳米晶化工艺条件下薄膜的微观结构和阻抗性能.结果表明,500℃退火的Co-FeNbZr软磁薄膜晶粒细化到30～40nm,阻抗值从28Ω增加到110Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200～220 MHz左右,薄膜的软磁性能极大改善.
关键词:Co-FeNbZr薄膜; 纳米晶化; 结构; 阻抗; Co-FeNbZr thin film; nanocrystallization; microstructure; impedance;
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