硅基LiNbO3薄膜的微结构研究
来源期刊：无机材料学报2005年第4期
论文作者：卢焕明 赵炳辉 汪雷 叶志镇 黄靖云
关键词：LiNbO3薄膜; 透射电子显微镜; PLD技术;
摘 要：利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
卢焕明1，赵炳辉1，汪雷1，叶志镇1，黄靖云1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.
关键词:LiNbO3薄膜; 透射电子显微镜; PLD技术;
【全文内容正在添加中】
