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溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

来源期刊:功能材料2007年第9期

论文作者:林更琪 程伟明 杨晓非 李佐宜 董凯锋 胡珊

关键词:射频磁控溅射; 非晶垂直磁化膜; 矫顽力; 饱和磁化强度; 光磁混合记录;

摘    要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.

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溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

林更琪1,程伟明1,杨晓非1,李佐宜1,董凯锋1,胡珊2

(1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
2.中国地质大学(武汉)

摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.

关键词:射频磁控溅射; 非晶垂直磁化膜; 矫顽力; 饱和磁化强度; 光磁混合记录;

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