Nb掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的微结构与介电性能研究
来源期刊：材料导报2009年第4期
论文作者：许积文 王华 杨玲 任明放 黄小丹
关键词：铁电陶瓷; 介电性能; BIT; 微结构;
摘 要：采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷.用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响.结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度.同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗.
许积文1，王华1，杨玲1，任明放1，黄小丹1
(1.桂林电子科技大学材料信息科学与工程系,桂林,541004)
摘要:采用固相烧结工艺制备了Nb掺杂的Bi4Ti3O12(BIT)铁电陶瓷.用XRD和AFM对其微观结构进行了分析,研究了Nb掺杂对材料微观结构和介电性能的影响.结果发现,微量Nb的掺入并未改变BIT的晶体结构,但可减小陶瓷的晶粒尺寸并降低材料的居里温度.同时,Nb的掺入大大降低了BIT陶瓷的介电常数并削平了BIT陶瓷的介电损耗峰,适当掺杂Nb可明显降低BIT陶瓷的介电损耗.
关键词:铁电陶瓷; 介电性能; BIT; 微结构;
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