热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：周怀恩 张文理 荣延栋 朱秀红 陈光华 吴越颖 邓金祥 阴生毅 胡跃辉
关键词：非晶硅; 红外; 光致衰退;
摘 要：采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
周怀恩1，张文理1，荣延栋1，朱秀红1，陈光华1，吴越颖1，邓金祥1，阴生毅1，胡跃辉1
(1.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022)
摘要:采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.
关键词:非晶硅; 红外; 光致衰退;
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