Ce、V共掺杂BiFeO₃多铁薄膜及其电性能研究

来源期刊：功能材料2011年第3期

论文作者：袁娜 刘军 刘文秋 李美亚 赵兴中

文章页码：421 - 424

关键词：BiFeO3;sol-gel技术;离子掺杂;铁电性能;漏电流;

摘    要：采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3（BFO）和Ce、V共掺杂Bi0.97Ce0.03Fe1-xVxO3（x=0,0.01,0.02,0.03）（BCFVx）薄膜。结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小。介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小。铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV 0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能。