Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究
来源期刊：无机材料学报2004年第5期
论文作者：王华
关键词：铁电薄膜; Bi4Ti3O12; 生长取向; 电性能;
摘 要：采用Sol-Gel工艺, 在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响, 探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明: 退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长, 其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827, 退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响; 经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向, 对铁电性能有较明显的削弱作用; 薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大, 但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
王华1
(1.桂林电子工业学院通信与信息工程系,桂林,541004)
摘要:采用Sol-Gel工艺, 在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响, 探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明: 退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长, 其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827, 退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响; 经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向, 对铁电性能有较明显的削弱作用; 薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大, 但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
关键词:铁电薄膜; Bi4Ti3O12; 生长取向; 电性能;
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