钨含量对磁控溅射铜钨合金薄膜结构和性能的影响
来源期刊:机械工程材料2011年第4期
论文作者:郭中正 孙勇 周铖 段永华 彭明军
文章页码:20 - 24
关键词:铜钨合金;薄膜;固溶度;电阻率;显微硬度;
摘 要:用磁控溅射法制备铜钨合金薄膜,采用能谱仪、X射线衍射仪、透射和扫描电镜、电阻计和显微硬度仪等对合金薄膜的成分、结构和性能进行了表征,探讨了钨原子分数的影响。结果表明:含原子分数31.8%~54.8%钨的铜钨膜呈非晶态,表面较平整;含18%和60%钨的膜为晶态,且出现固溶度扩展,分别存在fcc Cu(W)亚稳过饱和固溶体和bcc W(Cu)固溶体,铜钨膜电阻率高于纯铜膜的,非晶铜钨膜电阻率较晶态膜高1.9倍以上;铜钨膜硬度与钨含量呈正相关,非晶及晶态铜钨膜硬度分别低于和略高于Voigt公式的计算值。
郭中正,孙勇,周铖,段永华,彭明军
昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室
摘 要:用磁控溅射法制备铜钨合金薄膜,采用能谱仪、X射线衍射仪、透射和扫描电镜、电阻计和显微硬度仪等对合金薄膜的成分、结构和性能进行了表征,探讨了钨原子分数的影响。结果表明:含原子分数31.8%~54.8%钨的铜钨膜呈非晶态,表面较平整;含18%和60%钨的膜为晶态,且出现固溶度扩展,分别存在fcc Cu(W)亚稳过饱和固溶体和bcc W(Cu)固溶体,铜钨膜电阻率高于纯铜膜的,非晶铜钨膜电阻率较晶态膜高1.9倍以上;铜钨膜硬度与钨含量呈正相关,非晶及晶态铜钨膜硬度分别低于和略高于Voigt公式的计算值。
关键词:铜钨合金;薄膜;固溶度;电阻率;显微硬度;