应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展
来源期刊:材料导报2005年第6期
论文作者:邢光建 杜军 杨志民 毛昌辉
关键词:DRAMs; 钛酸锶钡; 薄膜; 介电性能;
摘 要:随着DRAMs存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的DRAMs技术的发展.在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注.介绍了随DRAMs的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题.
邢光建1,杜军1,杨志民1,毛昌辉1
(1.北京有色金属研究总院能源中心,北京,100088)
摘要:随着DRAMs存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的DRAMs技术的发展.在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注.介绍了随DRAMs的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题.
关键词:DRAMs; 钛酸锶钡; 薄膜; 介电性能;
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