电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法测定TB9钛合金中微量Si

来源期刊：中国无机分析化学2018年第1期

论文作者：郭莉莉 那铎

文章页码：50 - 52

关键词：TB9钛合金;微量Si;电感耦合等离子体原子发射光谱法;

摘    要：采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究。总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067nm到Si 288.158nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大。经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定。方法检出限0.04μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9。样品加标回收率为100%¹05%,相对标准偏差（n=8）小于2.0%。方法简便可靠,可获得满意的分析结果。