以APTES为硅源制备SiO₂包覆羰基铁粉的吸波性能

刚骏涛¹，冯旺军^1,2，李靖¹，刘力源²

1. 兰州理工大学理学院2. 兰州理工大学有色金属先进加工与再利用国家重点实验室

摘 要：以3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）为硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉（CIP）表面包覆二氧化硅（SiO₂）获得SiO₂@CIP核壳结构复合吸波剂,采用多种技术手段表征了复合吸波剂的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显示:APTES为硅源的包覆技术可制备SiO₂@CIP复合吸波剂,SiO₂包覆层的厚度约为10nm;用Agilent/HP-8720ET矢量网络分析仪对样品进行吸波性能分析,当吸波剂的涂覆层厚度为d=1.9mm时,在6.4GHz至11.4GHz波段范围的反射吸收率小于-10dB,最低反射吸收率达到-58.6dB。

关键词：二氧化硅包覆羰基铁粉;复介电常数;复磁导率;反射吸收率;