NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

来源期刊：磁性材料及器件2013年第3期

论文作者：王存涛 王书运 高垣梅 张慧

文章页码：8 - 41

关键词：坡莫合金薄膜;NiFeNb缓冲层;各向异性磁电阻;微结构;

摘    要：以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:（Ni81Fe19）1-xNbx（t）/Ni81Fe19（20nm）/Ta（3nm）,研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值（AMR）,用原子力显微镜（AFM）分析样品表面形貌,用X射线衍射仪（XRD）分析样品的相结构。结果表明,（Ni81Fe19）0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。