电感耦合等离子体原子发射光谱法测定萤石中低含量二氧化硅
来源期刊:冶金分析2008年第3期
论文作者:赵希文 闻向东 文斌 周正伦
关键词:二氧化硅; 电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES); 萤石; 耐HF腐蚀的ICP雾化器和矩管系统;
摘 要:试验了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定萤石中低含量SiO2的分析方法.试料经无水碳酸钠和硼酸的混合熔剂熔融,HCl(1+5)浸取,在电感耦合等离子体原子发射光谱仪上,用耐HF腐蚀的雾化器和矩管系统测量.考察了熔样、仪器分析条件及共存元素和基体干扰情况.根据SiO2各谱线的灵敏度、相互干扰情况及工作曲线相关系数的比较结果,选择硅的最佳分析线为212.412 nm.此方法已应用于萤石标样中低含量SiO2(质量分数0.70%~5.00%)的测定,结果与认定值或国家标准方法相符,相对标准偏差为0.51%~1.46%.
赵希文1,闻向东1,文斌1,周正伦1
(1.武汉钢铁公司研究院,湖北武汉,430080)
摘要:试验了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定萤石中低含量SiO2的分析方法.试料经无水碳酸钠和硼酸的混合熔剂熔融,HCl(1+5)浸取,在电感耦合等离子体原子发射光谱仪上,用耐HF腐蚀的雾化器和矩管系统测量.考察了熔样、仪器分析条件及共存元素和基体干扰情况.根据SiO2各谱线的灵敏度、相互干扰情况及工作曲线相关系数的比较结果,选择硅的最佳分析线为212.412 nm.此方法已应用于萤石标样中低含量SiO2(质量分数0.70%~5.00%)的测定,结果与认定值或国家标准方法相符,相对标准偏差为0.51%~1.46%.
关键词:二氧化硅; 电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES); 萤石; 耐HF腐蚀的ICP雾化器和矩管系统;
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