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淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第4期

论文作者：李积和周子美邹子英陈一闵靖陈青松

关键词：多晶硅吸杂; 内吸杂; 增强吸杂; 氧沉淀; 氧化层错; 洁净层;

摘要：在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.

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李积和¹，周子美¹，邹子英²，陈一³，闵靖²，陈青松¹

(1.上海硅材料厂,;
2.上海市计量测试技术研究院,;
3.复旦大学材料研究所,)

摘要:在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用.本文提出了多晶硅持续吸杂的机理.

关键词:多晶硅吸杂; 内吸杂; 增强吸杂; 氧沉淀; 氧化层错; 洁净层;

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