MgF2+MgO微弧氧化膜层的组分质量比率、结构与性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2021年第1期
论文作者：张伟一 杜云慧 王玉洁 朱宇 陆钦 张鹏
文章页码：311 - 319
关键词：微弧氧化膜层;复合电介质顺序放电;微观组织;性能;
摘 要：为了同时提高AZ61的MgF2+MgO微弧氧化膜层的电化学腐蚀与磨损性能,运用复合电介质顺序放电学术思想,通过减弱击穿熔体的喷发,使膜层进一步致密,进而使其性能得到提高。膜层的MgF2+MgO质量比率α、微观组织、电化学腐蚀与磨损性能的研究结果表明:α=1.2时,减弱击穿熔体喷发的效果显著好于α=0.1和α=11.8时,膜层的内部致密层厚度可提高到3.6μm,是现有微弧氧化膜层的3倍,外部疏松层的阻抗可提高到13 555Ω·cm2,比α=0.1和α=11.8的大30%。该膜层可将AZ61的自腐蚀电压Ecorr由-1.912 VSCE提高到-0.455 VSCE,自腐蚀电流密度Icorr由378 6×10-6 A/cm2减小到0.453×10-6 A/cm2、磨损率由921×10-5 mm3/N·m降低到0.5×10-5 mm3/N·m。
张伟一，杜云慧，王玉洁，朱宇，陆钦，张鹏
北京交通大学
摘 要：为了同时提高AZ61的MgF2+MgO微弧氧化膜层的电化学腐蚀与磨损性能,运用复合电介质顺序放电学术思想,通过减弱击穿熔体的喷发,使膜层进一步致密,进而使其性能得到提高。膜层的MgF2+MgO质量比率α、微观组织、电化学腐蚀与磨损性能的研究结果表明:α=1.2时,减弱击穿熔体喷发的效果显著好于α=0.1和α=11.8时,膜层的内部致密层厚度可提高到3.6μm,是现有微弧氧化膜层的3倍,外部疏松层的阻抗可提高到13 555Ω·cm2,比α=0.1和α=11.8的大30%。该膜层可将AZ61的自腐蚀电压Ecorr由-1.912 VSCE提高到-0.455 VSCE,自腐蚀电流密度Icorr由378 6×10-6 A/cm2减小到0.453×10-6 A/cm2、磨损率由921×10-5 mm3/N·m降低到0.5×10-5 mm3/N·m。
关键词：微弧氧化膜层;复合电介质顺序放电;微观组织;性能;
