分步反应法制备SiC掺杂MgB₂超导线材的研究

单迪^1,2，熊晓梅²，刘国庆²，焦高峰²，闫果²，周廉^1,2

1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室2. 西北有色金属研究院

摘 要：以干燥的B粉和Mg粉为原料,采用分步反应法制备了SiC(40～45μm)掺杂的MgB2/Nb/Cu超导线材。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了在650℃热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相组成、微观结构的影响。采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线,结果表明,当该工艺第二步热处理温度为650℃时,反应不完全,应适当升高温度;同时高SiC掺杂量有利于在MgB2线材中引入更多B位C掺杂,表现为Tc略有降低,从而提高了其磁通钉扎特性。

关键词：MgB2超导线材;SiC掺杂;微观结构;超导电性;