基于CdSeTe/ZnS量子点荧光探针测定痕量As³⁺

李玉美¹，班睿^1,2，罗迎春¹，杜海军¹

1. 贵州民族大学化学工程学院2. 南洋理工大学材料科学与工程学院

摘 要：水相合成高荧光量子产率的谷胱甘肽（GSH）包覆CdSeTe/ZnS量子点,并通过紫外光谱（UV）、荧光光谱（PL）、透射电镜（TEM）和电子衍射（XRD）等手段对其光学特性和结构进行表征。基于CdSeTe/ZnS量子点表面GSH对As³⁺的特异性结合而导致量子点荧光猝灭作用,构建了基于CdSeTe/ZnS量子点作为荧光探针检测痕量As³⁺的新方法。探究了As³⁺对CdSeTe/ZnS量子点荧光猝灭的机理,As³⁺在5.0¹00.0μg/L浓度范围内,CdSeTe/ZnS量子点的荧光强度F₀/F与As³⁺浓度之间呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9984,检测限为1.0μg/L。该量子点荧光分析方法可用于实际水样中As³⁺的检测。

关键词：CdSeTe/ZnS;量子点;As3+;荧光探针;