热等静压方法制备蓝青铜K0.3MoO3多晶材料
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：石兢 贾颖 柯满竹 金正中 王俊峰
关键词：低维材料; 电荷密度波; 热等静压; 制备;
摘 要：钼蓝青铜A0.3MoO3(A为K,Rb或T1)是一类典型的低维材料,由于它们具有与电荷密度波(CDW)、自旋密度波(SDW)及超导相联系的奇异性质,因而受到了人们广泛的关注.长期以来对蓝青铜的研究主要在单晶上开展,本文则采用热等静压方法成功制备出了钾蓝青铜多晶材料,对于蓝青铜薄膜应用中对靶材的制备有实际意义.电阻温度关系曲线的测量显示,钾蓝青铜K0.3MoO3在180K附近发生导体到半导体的Peierls相变.
石兢1，贾颖1，柯满竹1，金正中2，王俊峰1
(1.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;
2.武汉理工大学,国家新材料重点实验室,湖北,武汉,430070)
摘要:钼蓝青铜A0.3MoO3(A为K,Rb或T1)是一类典型的低维材料,由于它们具有与电荷密度波(CDW)、自旋密度波(SDW)及超导相联系的奇异性质,因而受到了人们广泛的关注.长期以来对蓝青铜的研究主要在单晶上开展,本文则采用热等静压方法成功制备出了钾蓝青铜多晶材料,对于蓝青铜薄膜应用中对靶材的制备有实际意义.电阻温度关系曲线的测量显示,钾蓝青铜K0.3MoO3在180K附近发生导体到半导体的Peierls相变.
关键词:低维材料; 电荷密度波; 热等静压; 制备;
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