VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究
来源期刊:稀有金属2010年第2期
论文作者:王思爱 丁国强 涂凡 苏小平 屠海令 张峰燚
关键词:数值模拟; GaAs; 位错密度; 残余应力; Raman光谱法; 位错胞状结构; numerical simulation; GaAs; dislocation density; residual stress; Raman spectroscopy; dislocation cell patterns;
摘 要:采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析.
摘要:采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析.
关键词:数值模拟; GaAs; 位错密度; 残余应力; Raman光谱法; 位错胞状结构; numerical simulation; GaAs; dislocation density; residual stress; Raman spectroscopy; dislocation cell patterns;
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