SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiC_p/Al复合材料的制备方法
来源期刊：材料导报2012年第5期
论文作者：王志勇 彭超群 王日初 王小锋 李婷婷 刘兵
文章页码：36 - 39
关键词：SiC;热导率;烧结工艺;SiCp/Al复合材料;
摘 要：概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。
王志勇，彭超群，王日初，王小锋，李婷婷，刘兵
中南大学材料科学与工程学院
摘 要：概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。
关键词：SiC;热导率;烧结工艺;SiCp/Al复合材料;
