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非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2007年第5期

论文作者：张辉吴杏芳于广华滕蛟朱逢吾

关键词：各向异性磁电阻; AMR元件; 非均匀退磁场;

摘要：采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.

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张辉¹，吴杏芳¹，于广华¹，滕蛟¹，朱逢吾¹

(1.北京科技大学材料物理系,北京,100083)

摘要:采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.

关键词:各向异性磁电阻; AMR元件; 非均匀退磁场;

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