射频反应磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电薄膜的光电性能

来源期刊：稀有金属材料与工程2011年第S1期

论文作者：徐绍亮 庞晓露 杨会生 张波萍

文章页码：451 - 454

关键词：射频反应磁控溅射;透明导电薄膜;AZO薄膜;光电性能;

摘    要：室温下采用射频（RF）反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积具有（002）择优取向的透明导电Al掺杂ZnO（AZO）薄膜。XRD结果表明,制备的AZO薄膜为多晶,具有c轴择优取向。退火处理能提高其结晶度。在Al靶射频功率为40W,ZnO靶射频功率为250W,氩气流量为15mL/min的条件下,获得200nm厚的薄膜电阻率约3.8×10-3?·cm,在可见光范围内有很好的光透过率。