InGaAs/InP中离子注入和新型HPT
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：杨茹 韩卫 于民 李国辉 曾一平
关键词：InGaAs/Inp; 离子注入; 新结构HPT;
摘 要：InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.
杨茹1，韩卫1，于民1，李国辉1，曾一平2
(1.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875;
2.中科院半导体所,北京100083)
摘要:InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.
关键词:InGaAs/Inp; 离子注入; 新结构HPT;
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