Co掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响
来源期刊：功能材料2006年第10期
论文作者：李美亚 陈章红 印志强 赵兴中 孙小华
关键词：BSTC薄膜; 溶胶-凝胶; 介电特性; 调谐性; 品质因子FOM;
摘 要：利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%(摩尔分数)的(Ba0.6Sr0.4) Ti1-xCoxO3薄膜.研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系.薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少,在摩尔含量10%时达到最小值0.0128.FOM值在摩尔含量为2.5%达到最大值20,它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639.42、0.0218、43.6%.
李美亚1，陈章红1，印志强1，赵兴中1，孙小华1
(1.武汉大学,物理学院,纳米科技中心,湖北,武汉,430072;
2.绥化学院,物理系,黑龙江,绥化,152000)
摘要:利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%(摩尔分数)的(Ba0.6Sr0.4) Ti1-xCoxO3薄膜.研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系.薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少,在摩尔含量10%时达到最小值0.0128.FOM值在摩尔含量为2.5%达到最大值20,它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639.42、0.0218、43.6%.
关键词:BSTC薄膜; 溶胶-凝胶; 介电特性; 调谐性; 品质因子FOM;
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