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基于膜法钴电积工艺中阳离子交换膜改性

来源期刊:有色金属工程2018年第2期

论文作者:南君 马腾 王三反 黄全江 丛琳

文章页码:69 - 73

关键词:聚吡咯;阳离子交换膜;表面涂覆改性;氯离子泄露率;

摘    要:基于表面涂覆改性的方法,使用吡咯为改性单体对阳离子交换膜进行改性,通过对改性前后的膜进行扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱仪(FTIR)及氯离子泄露率的测定表征膜的改性效果。结果表明,在吡咯与氯化铁的浓度比4∶1、掺杂剂为1 mol/L盐酸、单体反应时间1 h、氧化聚合时间4 h的条件下,改性效果最佳,氯离子泄漏率降低最大,降低了8.4%。

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基于膜法钴电积工艺中阳离子交换膜改性

南君1,2,马腾1,2,王三反1,2,黄全江1,2,丛琳3

1. 兰州交通大学环境与市政工程学院2. 寒旱地区水资源综合利用教育部工程中心3. 中国市政工程东北设计研究总院有限公司

摘 要:基于表面涂覆改性的方法,使用吡咯为改性单体对阳离子交换膜进行改性,通过对改性前后的膜进行扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱仪(FTIR)及氯离子泄露率的测定表征膜的改性效果。结果表明,在吡咯与氯化铁的浓度比4∶1、掺杂剂为1 mol/L盐酸、单体反应时间1 h、氧化聚合时间4 h的条件下,改性效果最佳,氯离子泄漏率降低最大,降低了8.4%。

关键词:聚吡咯;阳离子交换膜;表面涂覆改性;氯离子泄露率;

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