Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能

来源期刊：材料科学与工程学报2015年第6期

论文作者：闫伟超 孙汝杰 陈凌翔 吕建国 叶志镇

文章页码：814 - 817

关键词：磁控溅射;非晶态;薄膜;退火;

摘    要：采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管（TFT）沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O（NZTO）薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。