Si基多孔 SiO2薄膜驻极体电荷储存稳定性
来源期刊：功能材料2001年第5期
论文作者：夏钟福 张冶文 张晓青
关键词：多孔; SiO2; 薄膜驻极体; 电荷储存稳定性;
摘 要：通过控制溶胶-凝胶(sol-gel)工艺条件,利用相应条件下样品的红外光谱,等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等,考察了Si基多孔SiO2薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系.实验结果表明,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响;烧结温度和时间对电荷的储存稳定性的影响较大.
夏钟福1，张冶文1，张晓青1
(1.同济大学波耳固体物理研究所,)
摘要:通过控制溶胶-凝胶(sol-gel)工艺条件,利用相应条件下样品的红外光谱,等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等,考察了Si基多孔SiO2薄膜驻极体体内沉积的空间电荷的储存稳定性,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系.实验结果表明,反应物中水含量对薄膜驻极体的电荷储存稳定性及陷阱分布有一定的影响;烧结温度和时间对电荷的储存稳定性的影响较大.
关键词:多孔; SiO2; 薄膜驻极体; 电荷储存稳定性;
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