论位错的稳定存在
来源期刊：稀有金属材料与工程2002年第2期
论文作者：程开甲 程漱玉
关键词：位错; Thomas-Fermi-Dirac-Cheng; 极限尺寸;
摘 要：阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.
程开甲1，程漱玉1
(1.西北核技术研究所,陕西,西安,710024)
摘要:阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.
关键词:位错; Thomas-Fermi-Dirac-Cheng; 极限尺寸;
【全文内容正在添加中】
