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简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列

来源期刊:功能材料与器件学报2007年第4期

论文作者:陈东 佘希林 韩萍 彭智 宋国君 李建江

关键词:纳米线阵列; 电沉积; AAO; 蚀刻; 磷铬酸;

摘    要:采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列.分别用SEM、TEM与SAED对Ni纳米线阵列进行了表征.研究了蚀刻时间与AAO模板质量的减少及暴露出来的Ni纳米线阵列长度之间的关系.结果表明,磷铬酸是较NaOH溶液更为温和有效的AAO模板蚀刻剂,通过控制模板溶解时间,可以实现对裸露于AAO模板外纳米线长度的精细有效控制.该蚀刻方法普遍适用于以AAO为模板所制得的准一维纳米阵列结构.

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简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列

陈东1,佘希林1,韩萍1,彭智1,宋国君1,李建江1

(1.青岛大学高分子材料研究所,青岛,266071)

摘要:采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列.分别用SEM、TEM与SAED对Ni纳米线阵列进行了表征.研究了蚀刻时间与AAO模板质量的减少及暴露出来的Ni纳米线阵列长度之间的关系.结果表明,磷铬酸是较NaOH溶液更为温和有效的AAO模板蚀刻剂,通过控制模板溶解时间,可以实现对裸露于AAO模板外纳米线长度的精细有效控制.该蚀刻方法普遍适用于以AAO为模板所制得的准一维纳米阵列结构.

关键词:纳米线阵列; 电沉积; AAO; 蚀刻; 磷铬酸;

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