低介电常数和低介电损耗的含二硅氧烷共聚聚酰亚胺的制备研究

来源期刊：绝缘材料2018年第10期

论文作者：王铭钧 杨晓慧 姚洪喜 鲍忠桢

文章页码：16 - 21

关键词：低介电常数;低介质损耗;频率;温度;含硅氧烷共聚聚酰亚胺;介电分析方法;

摘    要：将四甲基-双（r-氨丙基）-二甲基硅氧烷（APDS）和4,4′-二氨基二苯醚（ODA）混合,然后分别与均苯四甲酸酐（PMDA）、3,3′,4,4′-二苯酮四甲酸酐（BTDA）和3,3′,4,4′-二苯醚四甲酸酐（ODPA）进行无规共聚,合成了3种含二甲基硅氧烷的共聚聚酰亚胺（POA、BOA和ODOA）。采用热重分析（TGA）和差示扫描量热法（DSC）对其热性能进行了表征,用介电分析仪对3种共聚聚酰亚胺在频率为0.1～105Hz和温度为50～300℃的介电常数和介质损耗因数（tanδ）进行了测试。结果表明:在频率≥103Hz和温度为50～250℃时,3种聚酰亚胺的介电常数均为2.2～2.4,变化很小。在频率≤103Hz时,温度对介电常数的影响明显增大,特别是温度高于200℃时影响显著。在一定频率下,tanδ随温度的升高而逐渐增大,在高频时tanδ增加很慢。在一定温度下,tanδ随频率的升高而减小。