原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能
来源期刊：无机材料学报2008年第4期
论文作者：江东亮 曾宇平 夏咏锋
关键词：Si3N4多孔陶瓷; 介电性能; 反应结合; 气孔率;
摘 要：以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350°C以下,保温时间4h时,随着烧结温度的升高,保温时间的延长,样品的强度和介电常数增大;但条件超出这个范围,结果刚好相反;物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化牛成的SiO2(方石英)组成.所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～048.86%,抗弯强度为34.77～127.85MPa,介电常数为3.0～4.6,介电损耗约为0.002.
江东亮1，曾宇平1，夏咏锋2
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;
2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050;
3.中国科学院研究生院,北京100049)
摘要:以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350°C以下,保温时间4h时,随着烧结温度的升高,保温时间的延长,样品的强度和介电常数增大;但条件超出这个范围,结果刚好相反;物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化牛成的SiO2(方石英)组成.所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～048.86%,抗弯强度为34.77～127.85MPa,介电常数为3.0～4.6,介电损耗约为0.002.
关键词:Si3N4多孔陶瓷; 介电性能; 反应结合; 气孔率;
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