光学级锗晶体生长方法新进展
来源期刊:稀有金属1999年第4期
论文作者:苏小平
关键词:锗晶体; 生长方法; 进展;
摘 要:介绍了90年代以来,光学级锗晶体生长方法的新进展.着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置.简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本.
苏小平1
(1.北京有色金属研究总院,北京100088)
摘要:介绍了90年代以来,光学级锗晶体生长方法的新进展.着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置.简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本.
关键词:锗晶体; 生长方法; 进展;
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