CeO2掺杂MgO-ZrO2陶瓷的阻抗特性
来源期刊：中国稀土学报2006年第2期
论文作者：赵文广 安胜利 宋希文
关键词：无机非金属材料; CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷; 交流复阻抗; 电导率; 电导活化能; 稀土;
摘 要：利用共沉淀法合成了CexMg0.06Zr1-xO1.94(x=0～16%)超细粉体,压制成型后分别在1300,1400,1500,1600 ℃下,保温3 h烧结.对烧结样品用XRD研究了相组成.在不同温度下(700～1200 ℃)测试了CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷的交流阻抗谱.结果表明: 随着CeO2掺入量的增加,促进了CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷立方相结构的形成,扩展了氧离子迁移的通道,降低了导电相粒子间的接触电阻,减低了氧离子的迁移阻碍,从而使得 CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷的导电性能提高.
赵文广1，安胜利1，宋希文1
(1.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,014010)
摘要:利用共沉淀法合成了CexMg0.06Zr1-xO1.94(x=0～16%)超细粉体,压制成型后分别在1300,1400,1500,1600 ℃下,保温3 h烧结.对烧结样品用XRD研究了相组成.在不同温度下(700～1200 ℃)测试了CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷的交流阻抗谱.结果表明: 随着CeO2掺入量的增加,促进了CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷立方相结构的形成,扩展了氧离子迁移的通道,降低了导电相粒子间的接触电阻,减低了氧离子的迁移阻碍,从而使得 CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷的导电性能提高.
关键词:无机非金属材料; CexMg0.06Zr1-xO1.94陶瓷; 交流复阻抗; 电导率; 电导活化能; 稀土;
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