ZnO的点缺陷结构与p型化转变的研究进展

来源期刊：材料导报2011年第1期

论文作者：成鹏飞 张英堂 余花娃

文章页码：22 - 25

关键词：ZnO薄膜;p型化;点缺陷;

摘    要：ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表。但由于p型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制。系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和p型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zni或VO。通过Ⅴ族元素实现p型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是Ⅴ族元素掺杂实现p型化转变的研究方向。考虑到Ⅰ族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过Ⅰ族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现p型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现Ⅰ族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现p型化转变的研究方向。