Sb2O3掺杂(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第2期
论文作者：陈文 徐庆 周静 李月明 顾幸勇
关键词：钛酸铋钠; 三氧化二锑; 无铅压电陶瓷; 压电性能; 介电性能;
摘 要：采用传统陶瓷的制备方法,制备出Sb2O3掺杂的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3的无铅压电陶瓷.XRD分析表明,Sb2O3的掺杂量在0.1%～0.6%(质量分数)范围内都能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,结合不同温度下的电滞回线观测,认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变,宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征.测试了不同组成陶瓷的压电性能,在Sb2O3掺杂量为0.1%时陶瓷的压电常数d33=124 pC/N,为所研究组成中的最大值,平面机电耦合系数kp=24.87%,略有下降,材料的介电常数εT33/ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加.
陈文1，徐庆1，周静1，李月明2，顾幸勇2
(1.武汉理工大学,湖北,武汉,430070;
2.景德镇陶瓷学院,江西,景德镇,333001)
摘要:采用传统陶瓷的制备方法,制备出Sb2O3掺杂的(Na0.84K0.16)0.5Bi0.5TiO3的无铅压电陶瓷.XRD分析表明,Sb2O3的掺杂量在0.1%～0.6%(质量分数)范围内都能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷在升温过程中存在两个介电常数温度峰,结合不同温度下的电滞回线观测,认为两个介电峰分别是材料的铁电-反铁电和反铁电-顺电相变,宽化的介电峰同时也表明所研究陶瓷具有驰豫铁电体特征.测试了不同组成陶瓷的压电性能,在Sb2O3掺杂量为0.1%时陶瓷的压电常数d33=124 pC/N,为所研究组成中的最大值,平面机电耦合系数kp=24.87%,略有下降,材料的介电常数εT33/ε0和介质损耗tanδ则随掺杂量的增加而增加.
关键词:钛酸铋钠; 三氧化二锑; 无铅压电陶瓷; 压电性能; 介电性能;
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