离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用
来源期刊：功能材料2007年第8期
论文作者：劳燕锋 吴惠桢 谢正生 曹萌 曹春芳 刘成
关键词：垂直腔面发射激光器; 离子注入; 退火;
摘 要：研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.
劳燕锋1，吴惠桢1，谢正生1，曹萌1，曹春芳1，刘成1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.
关键词:垂直腔面发射激光器; 离子注入; 退火;
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