氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期
论文作者：金波 王永进 王曦 陈静 张峰 陈志君 张正选
关键词：绝缘体上的硅锗; 注氧隔离; 埋氧; 氧化;
摘 要：提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.
金波1，王永进1，王曦1，陈静1，张峰1，陈志君1，张正选1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体薄膜工程技术研究中心,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.
关键词:绝缘体上的硅锗; 注氧隔离; 埋氧; 氧化;
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