用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜
来源期刊：材料研究学报2000年第3期
论文作者：时东霞 田中卓 袁磊 常香荣 顾有松 张永平 张秀芳
关键词：微波等离子体化学气相沉积; β-C3N4; 薄膜; 超硬材料;
摘 要：采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;X射线光电子谱(XPS)、傅立叶变换红外谱(FT IR)和喇曼(Raman)谱说明在C3N4薄膜中存在C-N键.
时东霞1，田中卓2，袁磊1，常香荣2，顾有松2，张永平2，张秀芳1
(1.中国科学院北京真空物理实验室;
2.北京科技大学)
摘要:采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;X射线光电子谱(XPS)、傅立叶变换红外谱(FT IR)和喇曼(Raman)谱说明在C3N4薄膜中存在C-N键.
关键词:微波等离子体化学气相沉积; β-C3N4; 薄膜; 超硬材料;
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