2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：袁志鹏 吴德馨 高建军
关键词：高速光集成电路; 光发射机; 驱动电路; HEMT器件;
摘 要：主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究.着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5～10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb/s高速光纤通信系统需要.
袁志鹏1，吴德馨1，高建军1
(1.中科院微电子中心,北京100029)
摘要:主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究.着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5～10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb/s高速光纤通信系统需要.
关键词:高速光集成电路; 光发射机; 驱动电路; HEMT器件;
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