横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第5期
论文作者：徐学良 邱建军 张静 张正元 谢红云 杨经纬 张万荣 王健安 刘道广 金冬月 高攀
关键词：HBT; SiGe; 横向尺寸; 高频噪声; HBT; SiGe; Geometrical scaling; High frequency noise;
摘 要：从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
徐学良1，邱建军2，张静1，张正元1，谢红云2，杨经纬2，张万荣2，王健安1，刘道广1，金冬月2，高攀2
(1.模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;
2.北京工业大学,电控学院,北京,100022)
摘要:从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
关键词:HBT; SiGe; 横向尺寸; 高频噪声; HBT; SiGe; Geometrical scaling; High frequency noise;
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