微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程
来源期刊：功能材料2000年第5期
论文作者：余晋岳 钱建国 蔡炳初 赵小林 周狄 朱军
关键词：磁性簿膜元件; 磁化; 反磁化; 磁畴结构;
摘 要：详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程.观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源.
余晋岳1，钱建国1，蔡炳初1，赵小林1，周狄1，朱军1
(1.上海交通大学信息存储研究中心,国家教委薄膜与微细技术开放研究实验室,上海,200030)
摘要:详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程.观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源.
关键词:磁性簿膜元件; 磁化; 反磁化; 磁畴结构;
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