大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征
来源期刊：功能材料2004年第5期
论文作者：刘兴辉 刘卫华 田昌会 朱长纯
关键词：碳纳米管; 大面积Ni衬底; 化学气相沉积; 场致发射特性;
摘 要：采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm.随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性.开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2.实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的.
刘兴辉1，刘卫华1，田昌会1，朱长纯1
(1.西安交通大学,电信学院真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049)
摘要:采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm.随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性.开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2.实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的.
关键词:碳纳米管; 大面积Ni衬底; 化学气相沉积; 场致发射特性;
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