NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性
来源期刊：金属学报2007年第6期
论文作者：张辉 吴杏芳 于广华 滕蛟 朱逢吾
关键词：NiFe膜; 各向异性磁电阻(AMR); AMR元件; 非均匀退磁场; 磁化反转;
摘 要：采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.
张辉1，吴杏芳1，于广华1，滕蛟1，朱逢吾1
(1.北京科技大学材料物理系,北京,100083)
摘要:采用磁控溅射方法制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了厚度t=20 nm、长度l=2.5 mm、宽度w分别为50,20,10,5和3μm的AMR元件.测量了AMR元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,宽度决定了AMR元件中的退磁场分布和边缘退磁场的大小,直接影响着AMR元件的磁化反转过程.宽度越小,元件中的边缘退磁场越大,在外磁场下的磁化反转也越困难.在磁化反转过程中,磁化反转先从中心开始,逐渐扩展到边缘.
关键词:NiFe膜; 各向异性磁电阻(AMR); AMR元件; 非均匀退磁场; 磁化反转;
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