简介概要

多晶硅薄膜的工艺研究

来源期刊:材料热处理学报2004年第4期

论文作者:祁康成 王军 成建波

关键词:多晶硅; 薄膜; 等离子体增强化学气相沉积(PECVD); 退火;

摘    要:研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.



详情信息展示

多晶硅薄膜的工艺研究

祁康成1,王军1,成建波1

(1.电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054)

摘要:研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.

关键词:多晶硅; 薄膜; 等离子体增强化学气相沉积(PECVD); 退火;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 主办 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:新出网证(湘)字005号   湘ICP备09001153号