多晶硅薄膜的工艺研究
来源期刊：材料热处理学报2004年第4期
论文作者：祁康成 王军 成建波
关键词：多晶硅; 薄膜; 等离子体增强化学气相沉积(PECVD); 退火;
摘 要：研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.
祁康成1，王军1，成建波1
(1.电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054)
摘要:研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.
关键词:多晶硅; 薄膜; 等离子体增强化学气相沉积(PECVD); 退火;
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