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单晶硅的中子辐射掺杂

来源期刊:中国有色冶金1983年第6期

论文作者:В·А·哈尔琴柯 丁德才

文章页码:36 - 39

摘    要:<正> 目前,用原子核转化法掺杂的硅产量(大功率仪表用)占世界无坩埚区熔法生产的硅产量50%以上。生产量迅速增长的前提,是原子核转化法可以解决掺杂均匀性问题,即在原材料中实现掺入磷的规定浓度,并保证其均匀分布。从达到的电阻率分布均匀性和掺杂精确性来看,人所共知的冶金方法目前是不能与原子核转化法相比的。为使核转化法所具有的优越

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单晶硅的中子辐射掺杂

В·А·哈尔琴柯,丁德才

摘 要:<正> 目前,用原子核转化法掺杂的硅产量(大功率仪表用)占世界无坩埚区熔法生产的硅产量50%以上。生产量迅速增长的前提,是原子核转化法可以解决掺杂均匀性问题,即在原材料中实现掺入磷的规定浓度,并保证其均匀分布。从达到的电阻率分布均匀性和掺杂精确性来看,人所共知的冶金方法目前是不能与原子核转化法相比的。为使核转化法所具有的优越

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