宽带隙n-型半导体CuIn₅Se₈的热电性能研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2013年第7期

论文作者：周红 应鹏展 崔教林 王晶 高榆岚 李亚鹏 李奕沄

文章页码：1474 - 1477

关键词：CuIn5Se8;宽带隙半导体;热电性能;

摘    要：利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究。物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13eV,比In2Se3合金的低。电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0μV·K1降低到263.0μV·K1,而电导率则随温度迅速增大。在818K时,其电导率达到最大值2.921031·m1,热导率为0.50W·K1·m1,最高热电优值ZT值达到0.33。